PBSS302NDH دیتاشیت

PBSS302NDH

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS302NDH
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PBSS302NDH

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS302NDH
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 4A
  • Power Dissipation (Pd): 360mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@2A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 330mV@6A,600mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه